國(guó)產(chǎn)高性能碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備介紹
碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備
前 述：碳化硅作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，在禁帶寬度、擊穿電場(chǎng)、熱導(dǎo)率、電子飽和速率、抗輻射能力等關(guān)鍵參數(shù)方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，滿足了現(xiàn)代工業(yè)對(duì)高功率、高電壓、高頻率的需求，主要被用于制作高速、高頻、大功率及發(fā)光電子元器件。下游應(yīng)用領(lǐng)域包括智能電網(wǎng)、新能源汽車、光伏風(fēng)電、5G通信等，在功率器件領(lǐng)域有碳化硅二極管、MOSFET等已經(jīng)開始商業(yè)化應(yīng)用。近幾年來我國(guó)在第三半導(dǎo)體碳化硅晶體長(zhǎng)晶技術(shù)方面不斷取得突破已基本達(dá)到國(guó)外先進(jìn)水平，整體行業(yè)將迎來中國(guó)式高效率高速度發(fā)展模式。
6英寸感應(yīng)式長(zhǎng)晶爐（Induction Crystal Furnace）
SiC Crystal Growth Equipment
備 注：本公司可同時(shí)提供高純度粉料及相關(guān)熱場(chǎng)耗材，同時(shí)提供碳化硅襯底、籽晶、試驗(yàn)片和配套設(shè)備貿(mào)易。詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)致電與我司聯(lián)系！
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